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QM球盟会·(中国),球盟会-泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率
发布于:2025-09-02 12:09:10

来历:泛林集团

Coronus?DX 成立于泛林集团 15 年来于晶圆边沿解决方案的立异之上

近日,泛林集团(Nasdaq: LRCX) 推出了CoronusDX产物,这是业界首个晶圆边沿沉积解决方案,旨于更好地应答下一代逻辑、3D NAND及进步前辈封装运用中的要害制造挑战。跟着半导体芯片要害尺寸的不停缩。渲圃毂浠忌嫌从痹樱诠杈г采瞎菇擅准镀骷需要数百个工艺步调。仅需一个工艺步调,Coronus DX 可于晶圆边沿的双侧沉积一层专有的掩护膜,有助在避免于进步前辈半导体系体例造历程中常常发生的缺陷及毁坏。这一强盛的掩护技能提高了良率,并使芯片制造商可以或许实行新的前沿工艺来出产下一代芯片。Coronus DX 是Coronus?产物系列的最新成员,扩展了泛林集团于晶圆边沿技能范畴的领先职位地方。

泛林集团全世界产物事业部高级副总裁 Sesha Varadarajan 暗示:“于 3D 芯片制造时代,出产繁杂且成本昂扬。基在泛林集团于晶圆边沿立异方面的专长,Coronus DX 有助在实现更可猜测的制造并年夜幅提高良率,为之前不成行的进步前辈逻辑、封装及 3D NAND出产工艺患上以采用摊平门路。”

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沉积于工艺集成历程中增长了要害掩护

与 Coronus 晶圆边沿刻蚀技能互补,Coronus DX 使新的器件架组成为实际,这对于在芯片制造商来讲是倾覆性的。反复叠加的薄膜层会致使残留物及粗拙度沿着晶圆边沿储蓄积累,而且它们可能会剥落、漂移到其它区域并孕育发生致使器件掉效的缺陷。好比:

·于 3D 封装运用中,来自出产线后真个质料可能会迁徙,并于以后的工艺中成为污染源。晶圆的塌边会影响晶圆键合的质量。

·3D NAND 制造中的永劫间湿法刻蚀工艺可能会致使边沿处衬底的严峻毁坏。

当这些缺陷不克不及被刻蚀失时,Coronus DX 会于晶圆边沿沉积一层薄的电介质掩护层。这类切确及可调解的沉积有助在解决这些可能影响半导体质量的常见问题。

CEA-Leti 半导体平台部分卖力人 Anne Roule 暗示:“CEA-Leti 应用其于立异、可连续技能解决方案方面的专业常识,帮忙泛林集团应答进步前辈半导体系体例造方面的要害挑战。经由过程简化 3D 集成,Coronus DX年夜幅提高良率,使芯片制造商可以或许采用冲破性的出产工艺。”

专有工艺鞭策良率晋升

Coronus DX 采用了一流的切确晶圆中央定位及工艺节制,包括内置量测?椋匀繁9ひ盏囊恢滦约翱煞锤葱。Coronus 产物慢慢提高了晶圆良率,每一个刻蚀或者沉积步调提高 0.2% 至 0.5% 的良率,这可使整个晶圆出产流程的良率提高 5%。每个月加工跨越 100,000 片晶圆的制造商于一年中可经由过程 Coronus 提高芯片产量达数百万 ——价值数百万美元。

各年夜芯片制造商都利用了 Coronus

Coronus 产物系列在 2007年初次QM球盟会·(中国),球盟会-推出,被各泰半导体系体例造商利用,于全世界规模内安装了数千个腔体。泛林集团的 Coronus 产物系列是业界首个颠末年夜范围出产验证的晶圆边沿技能。其 Coronus 及 Coronus HP 解决方案是刻蚀产物,旨于经由过程去除了边沿层来避免缺陷。Coronus 解决方案被用在制造逻辑、内存及特点工艺器件,包括领先的 3D 器件。Coronus DX 今朝已经于全世界领先的客户晶圆厂顶用在多量量制造。

Kioxia Corporation 内存工艺技能履行官 Hideshi Miyajima博士暗示:“经由过程晶圆边沿技能等范畴的前进提高出产工艺的质量,对于在咱们向客户年夜范围提供下一代闪存产物至关主要。咱们期待继承与泛林集团和其 Coronus 解决方案互助,以实现领先的晶圆出产。”

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