来历：Silicon Semiconductor
红外激光切割技能可以或许以纳米精度从硅衬底长进行超薄层转移，完全转变了进步前辈封装及晶体管缩放的3D集成。
EV集团（EVG）推出了EVG?850 NanoCleave? 层开释体系，这是第一个采用EVG革命性NanoCleave技能的产物平台。EVG850 NanoCleave体系采用红外(IR)激光，于颠末验证的多量量制造(HVM)平台上联合专门配制的无机脱模质料，可以或许以纳米级精度从硅载体衬底上脱模键合、沉积或者生长的层。是以，EVG850 NanoCleave 消弭了对于玻璃载体的需求，从而实现了用在进步前辈封装的超薄小芯片重叠，以和用在前端处置惩罚的超薄3D层重叠，包括进步前辈逻辑、存储器及功率器件形成，以实现撑持将来的3D集成线路图。
首个EVG850 NanoCleave体系已经安装于客户举措措施中，而且于客户现场及EVG总部，与客户及互助伙伴举行近两打产物演示。
硅载体有益在3D重叠及后端处置惩罚
于3D集成中，玻璃衬底已经成为经由过程与有机粘合剂姑且键合来构建器件层的既定要领，利用紫外(UV)波长激光消融粘合剂并开释器件层，随后将器件层永世键合到终极产物上晶圆。然而，玻璃衬底很难用重要缭绕硅设计的半导体系体例造装备举行加工，而且需要昂贵的进级才能举行玻璃衬底加工。此外，有机粘合剂的加工温度一般限定于300℃如下，限定了其于后端加工中的利用。
使硅载体具备无机脱模层可以免这些温度及玻璃载体兼容性问题。此外，红外激光激发切割的纳米精度答应于不转变记载工艺的环境下加工极薄的器件晶圆。随后重叠云云薄的器件层可实现更高带宽的互连，并为下一代高机能器件设计及支解芯片提供新的时机。
下一代晶体管节点需要薄层转移工艺
此同时，亚3纳米节点的晶体管线路图需QM球盟会·(中国),球盟会-要新的架谈判设计立异，例如埋入式电源轨、反面供电收集、互补场效应晶体管(CFET)及2D原子通道，所有这些都需要极绵力料的层转移。硅载体及无机脱模层撑持前端制造流程的工艺清洁度、质料兼容性及高加工温度要求。然而，到今朝为止，硅载体必需经由过程研磨、抛光及蚀刻工艺彻底去除了，这会致使事情器件层外貌呈现微米规模的变化，是以该要领不合适进步前辈节点的薄层重叠。
“可开释”熔接
EVG850 NanoCleave使用红外激光及无机脱模质料，可以或许于出产情况中以纳米精度对于硅载体举行激光切割。该立异工艺消弭了对于玻璃衬底及有机粘合剂的需求，从而实现了超薄层转移及下流工艺的前端工艺兼容性。EVG850 NanoCleave的高温兼容性（高达1000°C）撑持要求最严苛的前端处置惩罚，而室温红外切割步调可确保器件层及载体衬底的完备性。层转移工艺还有消弭了与载体晶圆研磨、抛光及蚀刻相干的昂贵溶剂的需要。
EVG850 NanoCleave与EVG业界领先的EVG850系列主动姑且键合/解键合及绝缘体上硅(SOI)键合体系基在统一平台，具备紧凑的设计及颠末HVM验证的晶圆处置惩罚体系。
EV集团企业研发项目司理Bernd Thallner博士暗示：“EVG自40多年前建立以来，公司的愿景始终百折不挠，率先摸索新技能，办事下一代微纳加工技能运用。近来，3D及异构集成作为新一代半导体器件机能改良的要害驱动因素而遭到存眷。这反过来又使晶圆键合成为连续扩大PPACt（功率、机能、面积、成本及上市时间）的要害工艺。借助咱们新的EVG850 NanoCleave体系，EVG将姑且键合及熔合键合的上风交融到一个多功效平台中，撑持咱们的客户于进步前辈封装及下一代范围晶体管设计及制造方面扩大其将来线路图的能力。”
原文链接：
https://siliconsemiconductor.net/article/118234/EV_Group_brings_layer_transfer_technology_yo_high_volume_manufacturing
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