按照韩媒报导，9月2日，三星电子于第二季度引入了极少量用在年夜范围出产GaN功率半导体的装备。GaN是下一代功率半导体质料，具备比硅更好的热机能、压力经久性及功率效率。基在这些上风，IT、电信及汽车等行业对于其的需求正于增长。三星电子也留意到了GaN功率半导体行业的增加潜力，并一直于鞭策其进入市场。去年6月于美国硅谷进行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式公布：“咱们将于2025年为消费电子、数据中央及汽车范畴推出8英寸GaN功率半导体代工办事。”
按照这一战略，三星电子第二季度于其器兴工场引入了德国爱思强（Aixtron）的有机金属化学气相沉积（MOCVD）装备。该工场卖力三星电子8英寸晶圆代工，而公司GaN功率半导体工艺今朝也因此8英寸为主。三星电子投资用在GaN研发的举措措施也位在该厂。
MOCVD是一种使用金属有机原料生长薄膜的技能。它于硅（Si）或者碳化硅（SiC）晶圆上沉积GaN质料，制造GaN晶圆，阐扬着要害作用。今朝，用在GaN晶圆的MOCVD装备重要由爱思强及美国Veeco两家公司供给。此中，爱思强的市场据有率极高。
2023年，三星电子高管还有与爱思强首席履行官（CEO）费利克斯·格拉伯特（Felix Graft）碰面，两边缭绕装备供给问题睁开了会商。然而，三星电子此次举行的投资仅触及采办1~2台爱思强的最新型MOCVD装备。今朝三星电子并未于GaN范畴得到年夜客户定单，并且公司的装备投资重要集中于HBM（高带宽内存）等部门范畴。是以投资GaN被视为一种节制公司投资程序的计谋。
一名半导体业内子员说：“三星电子已经经于器兴投资了GaN相干研发举措措施，并于本年年中引入了极少量装备。可是，三星电子对于早前预期的年夜范围量产投资采纳了审慎的立场。”
与此同时，东部高科（DB Hitech）及SK keyfoundry也于为GaN代工营业做预备。DB Hitech 在去年年末投资了GaN相干举措措施，并规划来岁初最先量产。规划在2027年实行周全量产投资。尽人皆知，SK keyfoundry最早将在来岁最先使用现有装备举行GaN的开端量产。
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