来历：云天半导体
厦门云天半导体继玄月初8 12吋 “晶圆级封装与无源器件出产线”正式通线后，颠末团队的不懈努力， 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S年夜关；
如下为部门工艺前提和结果展示：
胶厚匀称性 3.4%
CD启齿匀称性 3%
于Test Vehicle光罩下，测试了长线条 短线条，成果岂论是于正性光阻还有是负性光阻下， 2um的L/S下的线条都是完备而清楚的，并且没有任何显影不洁或者过显的外不雅异样；
2um 短线条（光刻后）
2um长线条-负胶（光刻后）
2um长线条-正胶（光刻后）
SEM切片效果图以下，胶厚：3.308um，CD上启齿：2.272um，CD下启齿：1.716um，侧壁垂直度约85.2°；
2um孔径SEM
2um长线条颠末电镀和种子层刻蚀后，线宽和线距均于工艺管控规模内，未呈现路线Peeling和断短路等外不雅异样；
2um长线条-负胶（电镀后）
2um长线条-负胶（PVD刻蚀后）
厦门云天半导体今朝量产化最小L/S为10/10um，工程样品能力最小L/S为7/7um，2/2um的L/S工艺的乐成开发是二期通线后的一次庞大冲破。今朝2/2um的L/S工艺还有需进一步的开拓验证，为后续量产化的导入做足预备。厦门云天半导体将连续寻求“立异、卓着、互助、奋斗”的精力，不停挑战极限、勇攀岑岭！
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