来历：意法半导体
基在多个高功率运用案例，咱们可以不雅察到功率？橛敕至OSFET并存的较着趋向，二者于10kW至50kW功率规模内存于显著堆叠。虽然？楦鲜收飧銮洌至OSFET却能带来怪异上风：设计自由度更高及更富厚的产物组合。当单个 MOSFET 没法满意功率需求时，再并联一颗MOSFET便可解决问题。
然而，功率并不是是选用并联MOSFET的独一缘故原由。正如本文所提到的，并联还有可以降低开关能耗，改善导热机能。思量到热效应答导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热机能及提高输出功率的有用措施。然而，并不是所有器件都合适并联， 由于参数差异会影响均流特征。本文将深切切磋该问题，并展示ST第三代SiC MOSFET怎样QM球盟会·(中国),球盟会-完善适配并联运用。
分立MOSFET及功率？
分立器件采用单管封装情势（每一个封装仅含单个MOSFET或者二极管），可矫捷选择通孔插装（THT）或者外貌贴装（SMD）封装。这类情势对于拓扑设计及混淆封装运用没有任何限定。
功率模块则大相径庭：其内部器件按特定拓扑（如全桥）集成，一旦封装完成，既没法修改拓扑也不克不及调解器件参数。是以于原型设计阶段，工程师需要投入更多精神举行仿真验证，而利用分立器件时能直接举行什物测试。
功率？橛辛侥暌钩ご：
·功率耗散：功率模块的横截面布局凡是包括散热基板、陶瓷电断气缘层以和铜平面走线，硅或者碳化硅芯片（如MOSFET）经由过程烧结工艺直接毗连于铜走线上。这类设计于散热方面具备显著上风：散热基板可直接与散热器接触，无需分外电断气缘，二者之间仅需导热界面质料（TIM，如导热硅脂）便可实现高效热传导。
·？榈牧硗庖荒暌股戏缬谠谒醵袒涣骰芈罚庖坏闼浔壬⑷壬杓聘痹樱Ч湟Γ苡杏媒档图纳问。走线自己具备电阻及电感，长度越长，寄生效应越严峻：电阻会因流经的RMS电流孕育发生不成轻忽的导通损耗；电感则会于电流变化时激发电压过冲，开关速率越快，电压尖峰越高，甚至可能毁坏器件。
于如下方面，分立器件难以与？楸饶：
·散热设计：分立器件的散热基板凡是不绝缘且与MOSFET漏极相连，是以导热界面质料需同时满意绝缘及导热需求。
·走线长度：分立器件芯片间的走线长度较长。电畅通过键合线流至封装引线，然后流至PCB，再返回。
于？橹校骷并联很是简朴：两颗芯片并列安装，其余节点经由过程短键合线毗连。走线更短且热耦合机能更优。
分立器件之间的热耦合机能不如？楹。热量从芯片到封装，再经由过程导热界面质料 (TIM) 达到散热器，再到其他 MOSFET。每一种介质以和它们之间的每一次转换城市孕育发生热阻，致使温度梯度。
并联分立MOSFET的念头
只管存于上述局限，分立MOSFET并联仍具有不成替换的上风：设计矫捷性、参数可扩大性、供给链冗余以和原型验证便捷性。此外，并联自己还有能带来如下物理层面的优化：
热阻与封装散热面积成反比。若将损耗均分至两个不异器件，总散热面积翻倍，单个封装的热耗减半，从而使结到散热器的热阻降低一半，器件现实温度更靠近散热器温度。
MOSFET损耗重要包罗导通损耗及开关损耗。 导通损耗由沟道导通电阻（RDSon）引起，并联N个不异MOSFET可以使总RDSon降至1/N。
图 1 导通示例：Ch1 漏极-源极电压、Ch4 漏极电流，Math耗散功率
开关损耗源在开关历程中电压与电流的堆叠（图1）。只管瞬态时间极短，但高压年夜电流下峰值功率很是显著。经由过程对于功率随时间举行积分（曲线下方的区域）可获得特定前提下的开通能量及关断能量，将两者乘以开关频率（若前提变化则累加1秒内的所有能量），便可计较出开关损耗。
给定前提是值患上留意之处，由于开关能量很年夜水平上取决在几种参数：瞬态时间、电压、电流及温度。关在并联方案，于开关能量的电流函数中隐蔽着一些上风。（图2）
Figure 2Example of switching energies: single MOSFET and two in parallel
图 2 开关能量示例：单个 MOSFET 及两个MOSFET并联
开关能量的变化曲线不是线性的，略呈指数趋向。是以，电流加倍会致使能量增长跨越两倍。并联时，成果正好相反：假如将电流均分到两个不异的器件，总开关能量会比单个器件零丁开关时更低。
假如咱们将功率？橹械囊桓 MOSFET 与两个分立 MOSFET 举行比力，则该？榻υ诹邮疲
对于比功率？橹械牡ジ鯩OSFET与分立情势的两个MOSFET，？榉炊υ诹邮疲
·散热路径：因为？椴季植畋穑⑷嚷肪赌岩员攘Γ墒牵至⑵骷经由过程更年夜散热面积可填补布局劣势，甚至逾越？榛。
·导通损耗及开关损耗：分立MOSFET并联的导通损耗是功率？榈亩分之一，开关能量损耗显著降低，是以，并联分立 MOSFET 于损耗方面上风很是较着。
这申明，于所述功率规模内，分立器件并联与模块方案存于机能堆叠。利用更多的不异规格的器件可以提高功率，而并联时选择更高导通电阻而成本更低的器件，仍有可能于不异功率下与？榉桨妇赫
热掉控——上风暗地里的隐患
MOSFET的导通电阻（RDSon）并不是静态参数，其数值随电流变化，且受温度影响更为显著。于当前功率规模内，碳化硅（SiC）MOSFET已经成为主流选择，其RDSon温度特征远优在硅基MOSFET。
图3： SCT011HU75G3AG 的导通电阻对于温度归一化曲线
以ST最新一代HU3PAK封装（顶面散热）的SCT011HU75G3AG为例（图3），导通电阻RDSon很是低，是并联设计的抱负选择。
然而，从25°C至175°C其导通电阻Rdson仅上升约50%，与尺度硅基MOSFET比拟，这一增幅较着更低，传统硅基MOSFET于150°C（而非175℃，这是其绝对于最高额定温度）时RDSon增幅可达200%。
平展的导通电阻（RDS(on)）温度曲线是抱负设计特征，能使导通损耗随温度变化连结不变。然而，当损耗上升时，存于热掉控：：损耗增长致使温度升高，进而进一步加重损耗。这类正反馈效应曾经是硅基MOSFET的难题，但对于碳化硅（SiC）器件凡是可纰漏——除了非采用并联配置。
为什么存于这类差异？要害于在参数离散性，特别是导通电阻RDS(on)。以型号SCT011HU75G3AG为例，其标称RDS(on)为11.4 mΩ，但现实可能高达15 mΩ。虽然统一批次中呈现云云年夜误差的几率较低，但咱们仍以此极度环境阐发：15 mΩ比11.4 mΩ超出跨越32%，象征着于不异电压下该器件承载的电流将削减32%。是以，11.4 mΩ的MOSFET会孕育发生约32%的分外损耗并更容易发烧。若RDS(on)随温度上升的斜率更年夜，虽然会致使更高损耗，但发烧更严峻的MOSFET会经由过程自我调治（升温致使电阻增长）使电流向低温器件转移。
现实运用阐发
现实运用中的：Φ燃对跹？因为并联MOSFET同享散热器（存于热耦合），这仍组成严峻威逼。为验证此问题，咱们经由过程仿真举行深切研究：假定两个HU3PAK封装的SCT011xx75 MOSFET（TO247封装体现会更好，此处选择更严苛案例），一个RDS(on)=11.4 mΩ，另外一个=15 mΩ。散热器温度设定为90°C，采用导热界面质料（TIM）为填隙胶（导热系数7 W/(m·K)，厚度0.4 妹妹）。于总RMS电流140A前提下，重点存眷导通损耗。HU3PAK的冷却面积为120 妹妹?，计较患上TIM致使的壳到散热器热阻为0.476 K/W。
模仿试验成果
·140 A 电流中的 63 A 流经15 mΩ MOSFET，壳温为 123.7°C，结温为 139.9°C
·其余的77 A流经11.4 mΩMOSFET，壳温为 131.8°C，结温为 151.8°C。
当前电流掉匹率为22%，而初始值为32%，而且两个MOSFET 都有足够的温度裕度，即现实温度与最高绝对于温度的差值很年夜。TIM导热胶的热梯度是一个要害因素，于15 mΩMOSFET中，从外壳到散热器，温度降幅到达33.7°C，而另外一个MOSFET则到达41.8°C。于这类环境下，TIM导热胶才是真实的限定因素，而MOSFET 之间的电流掉衡不是问题。热导率选定为7 W/(m?K)，这个值不错，但并不是最好。幸运的是，近期市场需求鞭策了对于此类质料的研究，此刻已经呈现跨越20 W/(m?K) 的电断绝间隙填充质料。
结论
功率模块合适高功率运用场景，但分立MOSFET也具有诸多上风，使其一样合用在模块的功率规模。选择适合的MOSFET，需要思量哪些要害因素？谜底是优秀的开关机能及精彩的热治理机能。
幸运的是，意法半导体的第三代 SiC MOSFET 应运而生，并联时仍能连结不变开关机能，其导通电阻RDSon 的热变特征于降低能量损耗及有用按捺热掉控实现了两重优化。
【线上集会】6月24日14:00，聚焦半导体量测智能化进级的线上钻研会重磅开启！后摩尔时代，半导体检测技能怎样冲破？AI+多维协同是要害！直击AI+AOI/3D检测/HBM/进步前辈封装等技能痛点，当即扫码报名，锁定席位：https://w.lwc.cn/s/Y7RnQ3
-QM球盟会·(中国),球盟会-
项目经理微信
移动版官网
