亚洲年夜学Oil Kwon传授团队开发的新型非晶半金属纳米超绵力料半导体器件。（图片由亚洲年夜学（Ajou University）提供）
韩国研究团队开发出一种冲破性的非晶态半金属质料，其特征差别在传统金属，为下一代半导体技能的前进摊平了门路。
1月3日，由亚洲年夜学智能半导体工程与电子工程系传授权毓仁 (Oil Kwon) 领导的研究职员公布，他们经由过程国际互助乐成创造出一种超薄非晶态半金属质料。
传统金属的电阻率会跟着厚度的减小而增年夜，而新质料则差别，跟着厚度的减小，电阻率会减小。
半导体系体例造范畴的厘革者
这类名为拓扑半金属的新型质料与当前的半导体系体例造工艺高度兼容。其生长温度低至 400°C 如下，无需高温工艺，是以可以轻松集成到现有体系中。
只管该质料具备非晶布局，缺少传统薄膜金属的晶体特征，但仍保留了优秀的导电性。
这一进展解决了采用新型半导体互连质料的两个要害挑战：与当前制造工艺的兼容性以和于低温前提下运行的能力，从而最年夜限度地削减对于半导体器件的潜于毁坏。
迈向贸易化
研究团队今朝正于开发一种用在该质料的原子层沉积 (ALD) 工艺。ALD 以其于原子级节制薄膜厚度的精度而著名，被视为将该技能贸易化用在高度微型化半导体器件的要害一步。
“这项研究代表着一项庞大冲破，由于它经由过程试验验证了一种史无前例的全新质料，”Kwon传授说。“这类新质料可以成为将来半导体技能的倾覆性解决方案，冲破现有质料的局限性，提供无穷的运用。”
国际互助与承认
这项研究由斯坦福年夜学 Eric Pop 传授及 Asir Intizar Khan 博士等研究职员互助开展，发表于闻名期刊《科学》1 月刊上，题为“超薄非晶态 NbP 半金属中的外貌传导及降低的电阻率”。
亚洲年夜学的研究职员专注在质料合成、机QM球盟会·(中国),球盟会-理及特征研究，而斯坦福年夜学的团队则致力在质料合成和其电气特征阐发。
这项立异使韩国于开发半导体行业尖端质料方面处在领先职位地方，为解决将来器件的技能挑战提供了潜于的奔腾。
原文链接：
http://koreabizwire.com/south-korean-researchers-develop-novel-material-for-next-generation-semiconductors/302468
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