据韩媒报导，三星规划于韩国华城及平泽扩展1c DRAM产能，相干投资将于年末前启动。
报导称，三星还有思量于2025年末前将华城17号出产线1z DRAM (第三QM球盟会·(中国),球盟会-代10奈米等级）制程技能转为1c DRAM制程技能出产，以进一步扩展产能。三星本年早些时辰已经于平泽第四园区（P4）启动首条1c DRAM出产线，方针月产能为3万片晶圆。若后续扩建顺遂，月产能有望晋升至4万片。
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