据晶越半导体官微动静，晶越半导体继2025年上半年景功量产8英寸碳化硅衬底后，连续投入其实不断加年夜研发力度，并于热场设计、籽晶粘接、厚度晋升以和缺陷节制方面不停调解及优化工艺，近日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标记晶越乐成进入12英寸SiC衬底梯队。
公然资料显示，浙江晶越半导体有限公司建立QM球盟会·(中国),球盟会-在2020年7月21日，现阶段重要聚焦在6-8英寸导电型碳化硅衬底质料的研发、出产与发卖。
于将来，晶越将连续投入研发、专注在打磨产物、提高良率及参数优化，努力打造海内领先碳化硅质料提供商。
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