来历：英飞凌
该技能将对于数据中央、可再生能源及消费电子等行业孕育发生深远影响。
于日月牙异的电力电子行业，对于更高效、更强盛、更紧凑元器件的需求连续存于。对于在新一代硅基MOSFET，英飞凌举行了巨年夜的研发投入，以从头界说体系集成尺度，使其于广泛的电力电子运用中可以或许实现更高功率密度及效率。
于英飞凌，CoolMOS? 8的推出象征着这些投入已经经取患了成效。它是一项进步前辈的MOSFET技能，集成快速体二极管，可以或许让设计职员及工程师史无前例地获益。该技能是对于英飞凌现有宽禁带半导体技能的有力增补，将对于数据中央、可再生能源及消费电子等行业孕育发生深远影响。
于相识要害特征及益处以前，咱们先来看看CoolMOS? 8的发源。CoolMOS? 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技能，旨于代替现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS? 7产物系列。它是CoolGaN?及CoolSiC?宽禁带半导体技能的有力增补。该产物组合将使设计职员可以或许满意差别类型的电力电子运用需求。CoolMOS? 8重要面向消费及工业终端市。徽庀笳髯牛孟盗胁⑽窗藓嫌迷谄翟擞玫钠骷。汽车运用的设计职员可以继承利用现有的车规级CoolMOS? 7器件。
CoolMOS? 8的立异的地方于在，该系列所有器件中都集成为了快速体二极管，使患上设计职员能将该系列产物用在方针运用中的所有重要拓扑。600 V CoolMOS? 8产物系列具备完美的产物组合，英飞凌开始将供给直插封装、外貌贴装及顶部冷却（TSC）器件。CoolMOS? 8 MOSFET还有比同类竞品具备更高的电流处置惩罚能力，且拥有最小的导通电阻（QM球盟会·(中国),球盟会-RDS(on)）与面积乘积。
但这对于设计职员及工程师象征着甚么呢？CoolMOS? 8于终极面向消费及工业市场推出后，将年夜年夜简化英飞凌客户的产物选型；由于比拟已经有的CoolMOS? 7产物系列，它的产物数目削减了50%以上。于CoolMOS? 7产物系列下，拥有快速体二极管的器件经由过程于产物名称中包罗“FD”来举行区别。CoolMOS? 8系列下的所有产物都拥有快速体二极管（不管导通电阻（RDS(on)）值为什么），这象征着它无需再遵照以前的定名法则。
当前供给的600 V CoolMOS? 8产物组合（2024年）
CoolMOS? 8 的要害特征
上面咱们回首了一些产物开发配景及道理，此刻咱们来看看CoolMOS? 8的一些要害特征。这包括用在谐振拓扑的最好快速体二极管机能，进步前辈芯片焊接技能，以和立异的顶部冷却（TSC）封装技能。
比拟CoolMOS? 7系列同类器件，CoolMOS? 8技能的关断损耗（Eoss）降低10%，输出电容（Coss）降低50%。CoolMOS? 8器件比拟CoolMOS? 7还有将热阻降低至少14%，年夜年夜改良了热机能。可以或许实现这一改良，是由于利用了英飞凌专有的互连技能（.XT），该技能提高了将硅芯片毗连至引线框架时的热导率。这些机能上风使患上CoolMOS? 8比CoolMOS? 7 具备更高效率。
（3.3 kW）LLC级与（2.5 kW）PFC级之间的相对于效率比力
CoolMOS? 8 MOSFET采用的立异ThinTOLL 8 × 8封装，比拟ThinPAK 8 × 8封装具备更优的机能，有助在连结引脚兼容性。ThinTOLL 8 × 8封装占板面积。兄谑迪指吖β拭芏龋磺页涫凳褂昧擞⒎闪杞角氨驳幕チ寄埽岣吡巳然堋hinTOLL封装只管尺寸小巧，但于电路板温度轮回实验中的妨碍率与采用TOLL封装的器件很是靠近，且两者具备险些不异的机能因数。
新ThinTOLL 8 × 8封装与ThinPAK 8 × 8封装的尺寸比力
封装的进级不仅有助在实现多量量组装及改良电路板设计，还有经由过程帮忙实现高引脚数器件的全主动处置惩罚，使患上于成本昂扬的组装工场举行光学焊接检测更易。依附于近来七年里累计交付的跨越67亿颗器件中，仅有过5次现场妨碍，CoolMOS? 8无疑巩固了英飞凌于靠得住性方面的卓着荣誉。
对于体系集成的益处
CoolMOS? 8对于体系集成的益处，可经由过程英飞凌使用该系列器件举行的参考设计来证实。例如，一台3.3 kW高频率及超紧凑整流器可到达97.5%的效率，以和95 W/in3的功率密度，尺寸为1U时也是云云。能到达云云高的事情效率及功率密度，是由于于设计中结合利用了CoolMOS? 八、CoolSiC?和CoolGaN? 技能；它采用了立异的集成式平面磁性布局，并对于图腾柱功率因数校订（PFC）级及半桥GaN LLC DC/DC功率变换级举行彻底数字化节制。
零丁提供的2.7 kW配套评估板展示了使用无桥图腾柱PFC及LLC DC/DC功率变换级构建的高效率（ 96%）电源装配（PSU）。这一高功率密度的设计结合利用了650 V CoolSiC?及600 V CoolMOS? 8开关技能。该PSU可使用XMC1404节制器（节制PFC级）及XMC4200节制器（节制LLC级）举行数字化节制，使患上可以节制及调解PFC开关频率，以进一步减小电感器尺寸，及/或者降低功耗。实验注解，该PSU于高负载前提下的效率提高了0.1%，使其比拟使用CoolMOS? 7 MOSFET构建的近似设计，拥有更低功耗及更好的散热机能。
当前供给的评估板（2.7-kW PSU及3.3-kW HD/HF SMPS）
重要运用
CoolMOS? 8器件是工业及消费市场中差别SMPS运用的抱负选择。但它们仍旧特别合用在数据中央及可再生能源等主要终端市场。于数据中央运用范畴，CoolMOS? 8经由过程实现使用硅器件可能到达的、尽可能最高的体系级功率密度，来帮忙设计职员告竣能源效率及总拥有成本方针。于可再生能源运用范畴，采用顶部冷却（TSC）封装的CoolMOS? 8器件，可帮忙减小体系尺寸及降低解决方案成本。
面向方针运用的DDPAK及QDPAK封装产物
因为600 V CoolMOS? 8还有拥有极低的导通电阻（RDS(on)）值（7 mΩ），是以于日趋壮年夜的固态继电器运用（S4）市场，它合适作为替换CoolSiC? 的、更具性价比的技能。比拟机械继电器，固态继电器拥有更快开关速率，不孕育发生触点拱起或者弹跳，于是可以或许延伸体系寿命。它们还有具备优良的抗打击、抗振动能力，以和低噪声。
别的，经由过程将CoolMOS? 8与CoolSiC? 器件联合利用，设计职员还有可优化体系级性价比。对于在2型壁挂式充电盒、轻型电动交通东西、无线充电器、电动叉车、电动自行车及专业东西充电，CoolMOS? 8还有可帮忙实现更具成本竞争力的设计。于更宽泛的消费类运用范畴，CoolMOS? 8可以让终端产物更易满意静电放电要求，并助力实现更矫捷的体系设计。与此同时，顶部冷却（TSC）封装还有有助在进一步降低组装成本，并提高功率密度。
与进步前辈MOSFET设计有关的
下一步规划
咱们不久就会推出用在驱动CoolMOS? 8 MOSFET的新一代栅极驱动器，使其可以或许于开关运用中实现最优的RDS(on)机能。这些EiceDRIVER?栅极驱动器将具备单极驱动能力，以和封装共模瞬变抗扰度（@600 V），可以或许帮忙简化体系认证与合规。因为厚度减小，CoolMOS? 8器件很是合适利用QDPAK TSC封装，甚至可被置在散热片的下面。英飞凌还有规划于将来几年内推出采用多种差别封装的CoolMOS? 8 MOSFET。
600 V CoolMOS? 8新一代硅基MOSFET技能的推出，鞭策电力电子范畴取患了一次庞大进展。集成快速体二极管、进步前辈芯片焊接技能以和立异封装技能等主要配置，凸显出英飞凌致力在提供进步前辈解决方案以满意设计职员及工程师的更高需求的坚定刻意。经由过程极低的现场妨碍率可以证实，这项技能还有具备优良的热机能和靠得住性。
跟着CoolMOS? 8器件逐渐呈现于差别的SMPS运用中，特别是数据中央及可再生能源等运用范畴，它们将帮忙实现更节能、更紧凑及更具性价比的设计。将来，经由过程充实阐扬CoolMOS? 8 MOSFET与行将推出的新一代栅极驱动器之间的协同作用，英飞凌将采纳一体化要领来推进MOSFET的设计及运用。这一路程将帮忙巩固英飞凌的半导体技能领先职位地方，并为将来的成长奠基坚实基础。
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