近日，第三代半导体财产技能立异战略同盟（CASA）官方微信动静，其尺度化委员会（CASAS）宣布了13项尺度新进展，包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试尺度形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨尺度征求定见、9项SiC MOSFET技能尺度已经完成征求定见稿的体例。
01
2项GaN HEMT动态导通电阻测试尺度形成委员会草案
2024年7月25日，由浙江年夜学、浙江年夜学杭州国际科创中央牵头草拟的集体尺度T/CASAS 34—202X《用在零电压软开通电路的氮化镓高电子迁徙率晶体管动态导通电阻测试要领》、T/CASAS 35—202X《用在第三象限续流的氮化镓高电子迁徙率晶体管动态导通电阻测试要领》已经形成委员会草案，两项尺度委员会草案根据CASAS尺度制订步伐，重复推敲、修改、体例而成。草拟组召开了屡次正式或者非正式的专题钻研会，获得了许多CASAS正式成员的撑持。委员会草案已经经由秘书处邮件发送至同盟常务理事和理事单元。
T/CASAS 34—202X《用在零电压软开通电路的氮化镓高电子迁徙率晶体管动态导通电阻测试要领》描写了用在零电压软开通电路的氮化镓高电子迁徙率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试要领。合用在举行GaN HEMT的出产研发、特征表征、量产测试、靠得住性评估和运用评估等事情场景。可运用在如下器件：a)GaN加强型及耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集乐成率电路；c)以上的晶圆级和封装级产物。
T/CASAS 35—202X《用在第三象限续流的氮化镓高电子迁徙率晶体管动QM球盟会·(中国),球盟会-态导通电阻测试要领》描写了用在第三象限续流模式（包括硬关断及零电流关断）的氮化镓高电子迁徙率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测试要领。合用在举行GaN HEMT的出产研发、特征表征、量产测试、靠得住性评估和运用评估等事情场景。可运用在如下器件：a)GaN加强型分立电力电子器件；b)GaN集乐成率电路；c)以上的晶圆级和封装级产物。
02
2项SiC单晶生长用等静压石墨尺度征求定见
由赛迈科进步前辈质料株式会社牵头草拟的尺度T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已经完成征求定见稿的体例，该项尺度征求定见稿根据CASAS尺度制订步伐，重复推敲、修改、体例而成，草拟组召开了屡次正式或者非正式的专题钻研会。按照同盟尺度化事情治理措施，2024年7月25日起最先征求定见，截止日期2024年8月24日。征求定见稿已经经由秘书处邮件发送至同盟成员单元；非同盟成员单元若有需要，可发邮件至：casas@casa-china.cn。
T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》划定了采用辉光放电质谱法测定等静压石墨构件纯度的要领，包括术语及界说、实验道理、实验情况、仪器装备、试剂与质料、试样、实验步调、实验成果和实验陈诉。
本文件合用在单个杂质元素含量规模为0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定，所述构件包括碳化硅单晶生长炉中的加热器、坩埚、籽晶托等内部构件。碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件，以和碳化硅外延生长用石墨基材的纯度测定可参考本文件。
T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》描写了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技能要求、实验要领、查验法则、标识、包装、运输及储存等。
本文件合用在纯度要求到达5N5（质量分数99.9995%）以上的碳化硅单晶生长用或者碳化硅粉体合成用等静压石墨，包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件，以和碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。
03
SiC MOSFET 阈值电压等9项技能尺度形成征求定见稿
7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET阈值电压测试要领》等9项SiC MOSFET技能尺度已经完成征求定见稿的体例。
此中，T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件开关动态测试要领》由闻泰科技株式会社、重庆年夜学、工业及信息化部电子第五研究所、浙江年夜学、泰克科技（中国）有限公司等结合提出。
T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件开关动态测试要领》针对于SiC MOSFET器件的开关动态特征，基在当前SiC半导体行业的市场需求，对于SiC MOSFET器件举行特定测试电路下的脉冲测试，提案划定了测试所需要包罗的设置前提、测试东西、测试项目以和计量要领等，包括：一、总则、规范性援用文件；二、术语、界说、文字符号；三、电路组成及测试要求；四、操作要领及测试流程；五、计量要领及评价方案；六、其他安全留意事项等技能性内容。
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